湖南大學的黑科技是什麼原理?1nm級晶片,不依賴高精度光刻機?
前幾天,網上有一則消息刷屏了,那就是眾多媒體報導稱,湖南大學的研究團隊,成功的實現了超短溝道的垂直場效應電晶體。更重要的是,以往的晶片製造中,晶片工藝的提升,是高度依賴光刻機的精度的,比如7nm及以下的晶片,就要求EUV光刻機。而湖南大學的這種垂直場效應電晶體,由於排列方式的不同,並不完全依賴於高精度的光刻機,考慮到目前國內根本就買不到EUV光刻機,而國產光刻機精度還在90nm。
前幾天,網上有一則消息刷屏了,那就是眾多媒體報導稱,湖南大學的研究團隊,成功的實現了超短溝道的垂直場效應電晶體。更重要的是,以往的晶片製造中,晶片工藝的提升,是高度依賴光刻機的精度的,比如7nm及以下的晶片,就要求EUV光刻機。而湖南大學的這種垂直場效應電晶體,由於排列方式的不同,並不完全依賴於高精度的光刻機,考慮到目前國內根本就買不到EUV光刻機,而國產光刻機精度還在90nm。